受惠日韓貿戰 DRAM瘋漲近8%

出版時間:2019/07/15

【楊喻斐╱台北報導】日韓貿易戰衝擊意外為了記憶體產業注入利多,市場擔心缺料危機下,DRAM現貨價率先反彈大漲,漲幅落在1.57~7.92%之間,終止下跌頹勢。

記憶體模組廠利多

日本無預警對韓展開半導體材料限制進口的措施,包括光阻劑、氟化氫等為半導體製程的關鍵原料幾乎都掌握在日廠手中,其中光阻劑又有保存期限的問題,引發市場擔心韓系記憶體大廠將面臨缺料危機,根據集邦科技最新報價,DRAM現貨率先大漲反應,不論是DDR3或者DDR4的漲勢都非常驚人,漲幅落在1.57~7.92%之間。
集邦科技(DRAMeXchange)最新公布的DRAM現貨報價,其中DDR4 8G (1G*8) 2400 Mbps顆粒漲幅高達5.19%,最高來到3.5美元,DDR3 4Gb 512Mx8 1600/1866Mbps顆粒與DDR3 4Gb 512Mx8 Ett有效測試顆粒漲幅分別達到了3.9%、3.92%。
另外,記憶體漲幅最兇的就是DDR3 4Gb 256Mx16 1600/1866Mbps顆粒,漲幅高達7.92%,而DDR3 2Gb 256Mx8 1600/1866Mbps顆粒漲幅達3.71%。
南亞科總經理李培瑛先前透露,現貨市場可望率先反彈,因為相較於合約市場,現貨價格跌幅相對較兇,加上通路商端的庫存較低;不過對於第3季合約價走勢,李培瑛認為,將會持續下跌,惟跌幅會較第3季收斂。
隨著DRAM產業可望擺脫谷底,現貨價率先出現大舉反彈的走勢,預料通路商將掀起新一波的回補庫存效應,也有助於持續去化上游原廠的庫存水位。
另外,從集邦科技公布的NAND Flash相關產品的現貨報價也是全面走揚,預料將可望為國內記憶體模組廠帶來新的利多。





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